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RRAM芯片的優(yōu)勢

來源：宇芯有限公司日期：2018-03-27 15:17:41

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RRAM不是目前唯一的存儲器改進。將來可以與NAND和DRAM對抗的其他形式的非易失性存儲器包括Everspin的磁阻RAM（MRAM）和相變存儲器（PCM），這是三星和美光正在追求的存儲器類型。還有賽道存儲器，石墨烯存儲器和憶阻器——惠普自己的RRAM類型。

研究公司ForwardInsights的創(chuàng)始人兼首席分析師 Gregory Wong認為Crossbar的RRAM是一種可行的產(chǎn)品，未來一定會挑戰(zhàn)NAND。他說：“當我提到NAND，就說明是3D NAND。”

賽道存儲器至少還需要五年才會可行。Wong說：“現(xiàn)在，它看起來像一個有趣的概念。未來它最終能否變得商業(yè)化還不能肯定。相變的問題在于：在存儲器市場中它能夠適應哪里？現(xiàn)在它的定位是一個NOR的替代品。其性能和耐久性像是NOR，而不是NAND。”

正常情況下，當你看到別人吹捧RRAM時，會心存許多懷疑；但當你看到Crossbar和它的技術(shù)時，會發(fā)現(xiàn)很有趣。Handy也相信硅制作的存儲器，如Crossbar的RRAM，將繼續(xù)占據(jù)存儲器市場的主導地位，因為晶圓廠已經(jīng)做好充分的準備去使用它了，而且硅還是一種廉價的材料。

Handy說：“硅會盡可能的維持其對新材料的優(yōu)勢，直到3D NAND開始衰退，像Crossbar的技術(shù)才會發(fā)揮作用，目前看來，在2D技術(shù)停止發(fā)展后3D NAN技術(shù)才會發(fā)揮真正作用，距現(xiàn)在還有二到三代工藝的時間。”

NAND閃存工藝技術(shù)每12個月左右不斷發(fā)展。例如，英特爾即將從19nm節(jié)點移至14nm。這意味著它可能在兩到三年之內(nèi)失去動力。

不是每個人都認為3D NAND會這么快沒落。

應用材料技術(shù)人員的高級主管和主要成員Gill Lee認為3D NAND也許會增長至100層以上的深度。應用材料提供了制作NAND閃存和RRAM的半導體工業(yè)機器。他說：“3D會使NAND工藝繼續(xù)升級制程。我認為它能夠發(fā)展得很遠。”

Lee說，他已經(jīng)看到了加工廠把3DNAND發(fā)展到128層的路線圖。第一代3D NAND，24層深，接下來的就是亞20nm節(jié)點2DNAND，但因為它更密集，3D NAND將存儲器制造的每比特成本降低30%左右。消費者是否會看到更大密度的NAND閃存，或者加工廠僅僅繼續(xù)以更低成本創(chuàng)造相同的存儲容量，這取決于該行業(yè)。

關(guān)鍵詞：RRAM MRAM

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