MB85R2001是一種富士通FRAM芯片，由262,144字×8位非易失性存儲單元組成，這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)創(chuàng)建。能夠保留數(shù)據(jù)，而無需使用SRAM所需的備用電池。MB85R2001中使用的存儲單元可用于1010次讀/寫操作，與Flash存儲器 和E2PROM支持的讀和寫操作數(shù)量相比，有了顯著改進。使用與常規(guī)異步SRAM兼容的偽SRAM接口。
 
引腳
   
富士通的 MB85R2001和MB85R2002具有非易失性存儲器，具有高速數(shù)據(jù)寫入，低功耗和提供大量寫入周期的能力。
 
框圖

 
MB85R2001和MB85R2002 FRAM芯片是汽車導(dǎo)航系統(tǒng)，多功能打印機，測量儀器和其他高級應(yīng)用的理想選擇，這些應(yīng)用可以使用非易失性存儲器來存儲各種參數(shù)，記錄設(shè)備的運行狀況并保存安全信息。
 
 
MB85R2001的配置為256K字x 8位，而MB85R2002的配置為128K字x 16位。MB85R2001和MB85R2002均具有100ns的讀取訪問時間和150ns的讀/寫周期時間。MB85R2001和MB85R2002的工作電壓為3V至3.6V。富士通代理商提供產(chǎn)品技術(shù)支持及解決方案。

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