不同類別存儲器基本原理

來源： 日期：2020-06-18 10:57:24

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存儲器是用來存儲程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件。存儲器可分為主存儲器(簡稱主存或內(nèi)存)和輔助存儲器(簡稱輔存或外存)兩大類。和CPU直接交換信息的是主存。主存的工作方式是按存儲單元的地址存放或讀取各類信息，統(tǒng)稱訪問存儲器。計算機的存儲器可分成內(nèi)存儲器和外存儲器。內(nèi)存儲器在程序執(zhí)行期間被計算機頻繁地使用，并且在一個指令周期期間是可直接訪問的。外存儲器要求計算機從一個外貯藏裝置例如磁帶或磁盤中讀取信息。

存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器。易失性存儲器分SRAM和DRAM；非易失性存儲器以Nor-flash和Nand-flash為典型代表。

DRAM

DRAM cell結構由1個MOS和1個電容組成，由電容是否帶電荷來區(qū)分0和1。不過，由于電容漏電流的原因，DRAM無法長時間保存數(shù)據(jù)，需要“動態(tài)”刷新（刷新周期在亞ms級別）。
 

 

 

SRAM

SRAM cell有多種不同結構，下圖為6個MOS組成的SRAM cell。M1/M2、M3/M4分別為2個反相器，在供電情形下可以鎖住0/1信息，不需動態(tài)刷新。
 

 

 

Flash

不管是Nor-flash還是Nand Flash，單位cell的結構都類似如下，為雙gate的MOS結構。中間一層floating gate無漏電存在，可以保存住電荷而實現(xiàn)非易失。
 

 

 
Floating gate上電荷轉(zhuǎn)移需要外加電壓實現(xiàn)。在Control gate和溝道之間施加的反向電壓可以去除電荷，也即擦除erase操作。在Control gate和溝道或source 之間施加正向電壓可以將電荷轉(zhuǎn)移到floating gate上。
 

 

 

NOR FLASH的結構和特性

通過NOR FLASH的結構原理圖，可見每個Bit Line下的基本存儲單元是并聯(lián)的，當某個Word Line被選中后，就可以實現(xiàn)對該Word的讀取，也就是可以實現(xiàn)位讀取（即Random Access），且具有較高的讀取速率。
 

 

 
 

 

 
（1）基本存儲單元的并聯(lián)結構決定了金屬導線占用很大的面積，因此NOR　FLASH的存儲密度較低，無法適用于需要大容量存儲的應用場合，即適用于code-storage，不適用于data-storage。
（2）基本存儲單元的并聯(lián)結構決定了NOR FLASH具有存儲單元可獨立尋址且讀取效率高的特性，因此適用于code-storage，且程序可以直接在NOR 中運行（即具有RAM的特性）。
（3）NOR FLASH寫入采用了熱電子注入方式，效率較低，因此NOR寫入速率較低，不適用于頻繁擦除/寫入場合。

NAND FLASH的結構和特性

通過NAND FLASH的結構原理圖，可見每個Bit Line下的基本存儲單元是串聯(lián)的，NAND讀取數(shù)據(jù)的單位是Page，當需要讀取某個Page時，F(xiàn)LASH 控制器就不在這個Page的Word Line施加電壓，而對其他所有Page的Word Line施加電壓（電壓值不能改變Floating Gate中電荷數(shù)量），讓這些Page的所有基本存儲單元的D和S導通，而我們要讀取的Page的基本存儲單元的D和S的導通/關斷狀態(tài)則取決于Floating Gate是否有電荷，有電荷時，Bit Line讀出‘0’，無電荷Bit Line讀出‘1’，實現(xiàn)了Page數(shù)據(jù)的讀出，可見NAND無法實現(xiàn)位讀?。碦andom Access），程序代碼也就無法在NAND上運行。
 

 

 
 

 

 
基本存儲單元的串聯(lián)結構減少了金屬導線占用的面積，Die的利用率很高，因此NAND FLASH存儲密度高，單bit成本低。適用于需要大容量存儲的應用場合，即適用于data-storage。

不同類別存儲器在PC系統(tǒng)中的位置

 

 

從單bit成本來看：NAND  

從讀取速度來看：NAND

關鍵詞：SRAM   

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