ISSI基于糾錯(cuò)的8Mb高速低功耗異步SRAM這種創(chuàng)新設(shè)計(jì)加強(qiáng)了ISSI對(duì)具有最高質(zhì)量和性能的SRAM的長期承諾。該行業(yè)首款基于糾錯(cuò)碼(ECC)的異步SRAM滿足汽車、工業(yè)、軍事航空航天和其他應(yīng)用的高質(zhì)量要求。
 
錯(cuò)誤檢測和錯(cuò)誤糾正
•每個(gè)字節(jié)具有漢明碼的獨(dú)立ECC
•檢測并糾正每個(gè)字節(jié)的一位錯(cuò)誤
•比只能檢測錯(cuò)誤但不能糾正錯(cuò)誤的奇偶校驗(yàn)碼方案具有更好的可靠性
•向后兼容：替代當(dāng)前行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備（無ECC）

 
應(yīng)用
•汽車
•軍用航天/醫(yī)療
•工業(yè)的
•電信/網(wǎng)絡(luò)
額外的ECC異步SRAM
•2Mb、4Mb、1Mb
 
主要特征

	IS64WV51216EDBLL (A1)	IS64WV51216EDBLL (A3)	注釋
溫度支持	工業(yè)（-40°C 至 +85°C）	汽車（-40°C 至 +125°C）	聯(lián)系ISSI代理商了解軍用溫度
技術(shù)	65nm	65nm
待機(jī)電流	15mA	35mA	典型值 2mA
工作電流	50mA	65mA	典型值 15 mA
數(shù)據(jù)保留電流	15mA	35mA	典型值 2mA
包裝	TSOP-II（44 針） BGA（48 針）	TSOP-II（44 針） BGA（48 針）	引腳與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 8Mb 異步兼容。

關(guān)鍵詞：串行FRAM