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DRAM存儲器漲跌有別

來源:宇芯有限公司 日期:2021-01-25 10:58:00

針對近期各家外資紛紛看好存儲器的前景,預計存儲器將自2021年首季開始迎接新的成長周期,且時間將持續(xù)至2022年中。同時存儲器市場方面,雖預期DRAM供不應求的表現(xiàn),但Nand Flash方面預期仍存在供應過剩的情況。
 
2021年存儲器市場,在DRAM方面因為伺服器DRAM的需求提升,加上中國手機廠商,包括OPPO、vivo以及小米都想搶食華為市占大舉擴產(chǎn),拉抬移動DRAM需求情況下,導致DRAM報價在2021年首季開始上揚。
 
隨著云計算和5G需求帶動,各大終端也開始積極對伺服器DRAM開始大規(guī)模采購計劃,且需求強勁力道超出市場預期,而需求增長態(tài)勢預期將持續(xù)到2022年,預測2021年首季DRAM的報價季增4%,超越先前預估的季增1%。而第2季預估更較第1季成長10%,超出之前預估的7%增幅,使得2021年總體DRAM的報價較先前預估的7%成長3個百分點,漲幅可望達到10%的水位。
 
至于Nand Flash市場方面,雖然2021年Nand Flash的報價成長有限,加上供過于求的狀況也將持續(xù)至2021年,預期表現(xiàn)不如DRAM來的亮眼。只要智能手機需求成長態(tài)勢不變,即使Nand Flash不是提升重點,后續(xù)也有成長的空間 。預計PC對SSD固態(tài)硬盤的需求在2021年上半年仍舊強勁,但預計持續(xù)時間有限,不一定能維持到下半年的情況下,針對Nand Flash在2021年的市場報價,較先前預估的下滑33%的幅度則有所收斂,預計將較2020年下滑28% 。


關(guān)鍵詞: DRAM   Nand Flash 
 
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