在現(xiàn)代的通信及基于FPGA的圖像數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中,經(jīng)常要用到大容量和高速度的存儲(chǔ)器。SDRAM有一個(gè)同步接口，在響應(yīng)控制輸入前會(huì)等待一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)，這樣就能和計(jì)算機(jī)的系統(tǒng)總線同步。在各種的隨機(jī)存儲(chǔ)器件中，SDRAM的價(jià)格低,體積小和速度快,容量大等優(yōu)點(diǎn)而獲得大家的青睞。
 
SDRAM功耗來源
 
SDRAM內(nèi)部一般分為多個(gè)存儲(chǔ)體,通過行、列地址分時(shí)復(fù)用,系統(tǒng)地址總線對(duì)不同存儲(chǔ)體內(nèi)不同頁面的具體存儲(chǔ)單元進(jìn)行尋址。SDRAM每個(gè)存儲(chǔ)體有即激活狀態(tài)和關(guān)閉狀態(tài)2個(gè)狀態(tài),。在一次讀寫訪問完畢后,維持存儲(chǔ)體激活狀態(tài)稱為開放的頁策略(open-page policy) ,頁面寄存器中保存已經(jīng)打開的行地址,直到它不得不被關(guān)閉,比如要執(zhí)行刷新命令等;訪問完畢后關(guān)閉存儲(chǔ)體稱為封閉的頁策略(close-page policy)。
 
為了更好地決定選擇哪種策略，需要熟悉SDRAM 功耗的特點(diǎn)。SDRAM的功耗主要有激活關(guān)閉存儲(chǔ)體、讀寫和刷新3個(gè)來源。在大部分程序中,激活關(guān)閉存儲(chǔ)體引起的功耗占到訪存操作的總功耗的一半以上I3。圖1給出了對(duì)同一SDRAM行進(jìn)行讀寫時(shí)，采用開放的頁策略和封閉的頁策略的功耗比較(假設(shè)激活關(guān)閉存儲(chǔ)體一次消耗功耗為1) ,經(jīng)計(jì)算可知,若連續(xù)的幾個(gè)讀寫操作在同一行,采用開放的頁策略可以節(jié)省功耗。
     
根據(jù)上面對(duì)SDRAM功耗的特點(diǎn)的分析可知，盡量減少激活/關(guān)閉存儲(chǔ)體引起的附加功耗開銷,是優(yōu)化SDRAM存儲(chǔ)系統(tǒng)功耗的根本,另外不能忽視一直處于激活狀態(tài)的存儲(chǔ)體帶來的功耗。
 
 
關(guān)鍵詞：SDRAM  宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國(guó)內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多個(gè)品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲(chǔ)器芯片，致力于為客戶提供具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲(chǔ)方案解決商。