磁阻式隨機存儲器(MRAM)是一種新型存儲器,其優(yōu)點有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM存儲器運用于計算機存儲系統(tǒng)中。MRAM因具有許多優(yōu)點,有取代SRAM和DRAM的潛能。用MTJ存儲單元構(gòu)建的MRAM存儲器可以用作高速緩存。
 
高速緩存可以用與SRAM幾乎相同的方式來組建。MRAM與SRAM具有相似的電路結(jié)構(gòu)(見圖1)。
 
它們都由字線來選擇目標操作單元,由位線來傳輸數(shù)據(jù)。SRAM兩種不同的位線連接到每一個單元,而MRAM只有一條位線,可以簡單的把位線與源線的結(jié)合看做替代。因為基于sram芯片的讀出放大器不能直接用于MRAM存儲器,故MRAM需要一個參考信號，通常由一個偽MRAM單元提供,其面積可以忽略。
   
因此一個大型MRAM陣列被劃分成若干個小型陣列。小型陣列可采用傳統(tǒng)高速緩存結(jié)構(gòu),由H-tree連接起來,其行列數(shù)目和尺寸可以使用CACTI工具來進行優(yōu)化。
 
 
關鍵詞：STT-MRAM 宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內(nèi)外各大知名品牌的半導體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS等多個品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。