非易失性FRAM存儲器芯片，無需保持數(shù)據(jù)的電池，所以保持數(shù)據(jù)時不產(chǎn)生能耗。而且寫入時間較通用EEPROM及閃存要短，具有寫入能耗低的優(yōu)點。由于鐵電存儲器不像動態(tài)隨機存取存儲器DRAM和SRAM一樣密集（即在同樣的空間中不能存儲像它們一樣多的數(shù)據(jù)），它很可能不能取代這些技術(shù)。
 
僅僅通過能量回收產(chǎn)生的微小電動勢，就能將數(shù)據(jù)寫入FRAM，因此，除能量回收以外，即使沒有電池電源，也能夠?qū)懭霐?shù)據(jù)。實際上已確認內(nèi)置有FRAM的演示設(shè)備已經(jīng)能夠在沒有電池的狀態(tài)下寫入數(shù)據(jù)。也就是說FRAM通過自身的“非易失性”及“高速寫入”，實現(xiàn)了低能耗，為無電池技術(shù)提供了解決方案。

 
● 只要彎曲軟質(zhì)纖維板就能記錄轉(zhuǎn)數(shù)（無電池）
 
富士通以MUNEKATA公司（采用噴涂工藝制作的樹脂系列壓電元件的公司）提供的樹脂系列壓電元件的軟質(zhì)纖維板（91mm×55mm，名片大?。槟芰炕厥针娫?，開發(fā)了內(nèi)置FRAM的演示設(shè)備。通過該演示設(shè)備，已確認僅僅利用彎曲軟質(zhì)纖維板產(chǎn)生的電動勢，就能將彎曲次數(shù)寫入FRAM。
 
● 只要旋轉(zhuǎn)表盤就能記錄轉(zhuǎn)數(shù)（無電池）
 
iC-Haus公司是富士通的業(yè)務(wù)伙伴，提供使用韋根線技術(shù)、內(nèi)置有FRAM的演示設(shè)備。通過該演示設(shè)備，已確認僅僅利用旋轉(zhuǎn)表盤產(chǎn)生的電動勢，就能將表盤轉(zhuǎn)數(shù)寫入FRAM。請在介紹FRAM的WEB網(wǎng)站中觀看演示設(shè)備的實際操作視頻。
 
由于它能在非常低的電能需求下快速地存儲，它有望在消費者的小型設(shè)備中得到廣泛地應(yīng)用，比如個人數(shù)字助理（PDA）、手機、功率表、智能卡以及安全系統(tǒng)。鐵電存儲器比閃存更快。在一些應(yīng)用上，它也有可能替代電可擦除只讀存儲器EEPROM和靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM，并成為未來的無線產(chǎn)品的關(guān)鍵元件。


宇芯電子代理商提供的富士通FRAM鐵電存儲器

Brand	Density	Part Name	Voltage(V)	Operating Temp. (°C)
Fujitsu	1Mb	MB85RC1MT	1.8~3.6V	-40 ℃ to 85 ℃
Fujitsu	512Kb	MB85RC512T	1.8 ~ 3.6V	-40 ℃ to 85 ℃
Fujitsu	256Kb	MB85RC256V	2.7 ~ 5.5V	-40 ℃ to 85 ℃
Fujitsu	128Kb	MB85RC128A	2.7 ~ 3.6V	-40 ℃ to 85 ℃
Fujitsu	64Kb	MB85RC64V	3.0 ~ 5.5V	-40 ℃ to 85 ℃
Fujitsu	64Kb	MB85RC64TA	1.8 ~ 3.6V	-40 ℃ to 85 ℃
Fujitsu	64Kb	MB85RC64	2.7 ~ 3.6V	-40 ℃ to 85 ℃
Fujitsu	16Kb	MB85RC16	2.7 ~ 3.6V	-40 ℃ to 85 ℃
Fujitsu	16Kb	MB85RC16V	3.0 ~ 5.5V	-40 ℃ to 85 ℃

 
 
 
關(guān)鍵詞：FRAM   富士通

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