MRAM的技術在學理上存取速度將超越DRAM達到接近SRAM，且斷電后資料不流失，早期由EVERSPIN公司開發(fā)，被視為下世代存儲器技術的重要的競爭者。2017年是MRAM技術爆發(fā)的一年，當年在日本舉辦的大型集成電路技術、系統(tǒng)和應用國際研討會，格羅方德與Everspin公司共同發(fā)布有抗熱消磁eMRAN技術，具能夠讓資料在攝氏150度下保存資料，可長達十數(shù)年的22納米制程的制程技術。
 
與現(xiàn)有的快閃內(nèi)存（FLASH）、靜態(tài)隨機存取內(nèi)存（sram）、動態(tài)隨機存取內(nèi)存（DRAM）相比， MRAM具有非常優(yōu)秀的性能。根據(jù)美國專業(yè)半導體研究機構(gòu)EDN分析，如將MRAM與 DRAM、 SRAM、 FLASH等內(nèi)存做比較，在“非揮發(fā)性”特色上，目前僅有MRAM及FLASH具此功能；而在“隨機存取”功能上，則FLASH欠缺此項功能，僅MRAM、DRAM、SRAM具備隨機存取優(yōu)點。除此之外的MRAM還具有以下優(yōu)點：
 
第一，在芯片面積方面，MRAM與FLASH同屬小規(guī)格的芯片，所占空間最?。籇RAM的芯片面積則是屬于中等規(guī)格，SRAM更是屬于大面積規(guī)格的芯片，其所占的空間最大。
 
第二，在寫入次數(shù)方面：MRAM、 DRAM以及SRAM則都屬同一等級，約可寫入無限次的記憶，而FLASH則只約可寫入106次。
 
第三，在嵌入式設計規(guī)格方面，DRAM、SRAM、FLASH同屬良率低、須增加芯片面積設計規(guī)格；而MRAM則是擁有性能高、不須增加芯片面積的特殊設計。
 
第四，在讀取速度方面：MRAM及SRAM的速度最快，同為25～100ns，不過MRAM仍比SRAM快；DRAM則為50～100ns，屬于中級速度相較之下，F(xiàn)LASH的速度最慢。
 
最后在耗電量方面，只有MRAM以及SRAM擁有低耗電的優(yōu)點，F(xiàn)LASH則是屬于中級的耗電需求，至于DRAM更是具有高耗電量的缺點。

關鍵詞：MRAM