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DDR5介面芯片的存儲器頻寬與密度都比DDR4更高2倍

來源：宇芯有限公司 日期：2017-11-30 15:28:54

市場研究公司W(wǎng)ebFeet Research總裁Alan Niebel表示：“市場將會非常需要DDR5...但它仍然是DRAM，而且也很耗電。它推動了傳統(tǒng)的馮•諾伊曼(Von Neuman)系統(tǒng)進展，但我們?nèi)匀恍枰掷m(xù)推出持久型存儲器替代方案，以及新的運算模式。”
　　
事實上，Hewlett-Packard Enterprise (HPE)已經(jīng)發(fā)布了一款采用Gen-Z存儲器介面的原型系統(tǒng)。Gen-Z是在今年8月才推出的全新存儲器架構(gòu)。
　　
WebFeet首席分析師Gil Russell表示：“許多人并不看好DDR5能成為下一代的存儲器介面。”
　　
DRAM的制程技術(shù)微縮正趨近于其核心電容器的實體限制，這使得Russell等業(yè)界分析師預期這種存儲器設計將在未來的5至10年內(nèi)終結(jié)。他強調(diào)，更高的錯誤率必須在芯片上建置糾錯程式碼的電路。
　　
然而，存儲器領(lǐng)域“是一個真正進展緩慢的領(lǐng)域。”Russell說：“要讓DIMM獲得市場的認可，大概就得花一年的時間，而且大家總想要以盡可能最低的成本導入。”
　　
同時，為了進一步提高速度與密度，AMD和Nvidia的高階繪圖處理器(GPU)已經(jīng)改用高頻寬的存儲器芯片堆疊了。Rambus的Dhulla指出，芯片堆疊仍然是一種昂貴的途徑，僅限于用在高階的GPU、FPGA以及通訊ASIC。
　　
Dhulla表示，“DDR5顯然是開啟大量機會的理想途徑。但目前業(yè)界較大的爭論焦點是在DDR5之后以及2023年以后將如何發(fā)展。因此，我們的實驗室也正著眼于多種替代方案。


關(guān)鍵詞：DDR5  DRAM

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