NV-SRAM（非易失性SRAM或NVRAM）是一種獨立的非易失存儲器，它使您能夠在電源中斷時立即捕獲SRAM數(shù)據(jù)并將其保存到非易失內(nèi)存中，并允許在不消耗電源的情況下調(diào)用數(shù)據(jù)。它們是數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用的理想選擇，如高性能可編程邏輯控制器（PLC）、智能儀表和網(wǎng)絡(luò)路由器，需要快速寫入速度、高耐久性和即時無波動性。英飛凌的nvSRAM提供符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、RoHS的封裝選項，如TSOP、FBGA、SSOP和SOIC封裝。
 
    容量：64Kb、128Kb、256Kb、512Kb、1Mb、4Mb、8Mb、16Mb
接口：I2C、SPI、QSPI、并行（x8、x16、x32）
 
    主要功能
    快速訪問—執(zhí)行隨機(jī)訪問讀取和寫入，速度可達(dá)20ns
    無限的耐久性-提供無限的寫入和讀取
    節(jié)省空間-與BBSRAM相比，占用的板空間更小
    輻射耐受性-對輻射引起的軟錯誤免疫
 
    英飛凌的NV-SRAM將Cypress業(yè)界領(lǐng)先的SRAM技術(shù)與一流的SONOS非易失性技術(shù)相結(jié)合。Infineon提供了一系列串行和并行nvSRAM非易失性存儲器。
 
    并行NVSRAM是業(yè)界最快的并行非易失性RAM解決方案，最快訪問時間為20ns。這些器件的容量范圍為64kbit–16Mbit，支持2.7V至5.5V的寬電壓范圍。這些器件用于RAID存儲、工業(yè)自動化、計算和網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用。
 
    串行nvSRAM提供無限的讀/寫耐久性和高速讀寫。這些器件的容量范圍為64kbit–1Mbit，支持2.7V至5.5V的寬電壓范圍。這些器件用于工業(yè)控制和自動化設(shè)備以及智能儀表等應(yīng)用。

本文關(guān)鍵詞：NV-SRAM 賽普拉斯

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