SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）由CMOS技術(shù)組成，使用六個晶體管。它的結(jié)構(gòu)由兩個交叉耦合的反相器組成，用于存儲數(shù)據(jù)（二進制），類似于觸發(fā)器和額外的兩個晶體管用于訪問控制。它比DRAM等其他RAM類型相對更快。它消耗更少的電力。SRAM只要通電就可以保存數(shù)據(jù)。
 
DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）也是一種使用電容器和少量晶體管構(gòu)成的RAM。電容器用于存儲數(shù)據(jù)，其中位值1表示電容器已充電，位值0表示電容器已放電。電容器容易放電，導(dǎo)致電荷泄漏。
 
SRAM和DRAM之間的主要區(qū)別
1、SRAM是訪問時間短的片上存儲器，DRAM是訪問時間長的片外存儲器。因此SRAM比DRAM快。
2、DRAM的存儲容量更大，而SRAM的尺寸更小。
3、SRAM很貴，而DRAM很便宜。
4、高速緩沖存儲器是SRAM的一種應(yīng)用。相反，DRAM用于主存儲器。
5、DRAM高度密集。相反，SRAM比較少見。
6、使用了大量的晶體管，SRAM的結(jié)構(gòu)很復(fù)雜。相反，DRAM易于設(shè)計和實現(xiàn)。
7、在SRAM中，單個內(nèi)存塊需要六個晶體管，而DRAM只需要一個晶體管用于單個內(nèi)存塊。
8、DRAM之所以被命名為動態(tài)的，是因為它使用的電容器會產(chǎn)生泄漏電流，因為電容器內(nèi)部用于分隔導(dǎo)電板的電介質(zhì)不是完美的絕緣體，因此需要電源刷新電路。另一方面，SRAM中不存在電荷泄漏的問題。
9、DRAM的功耗比SRAM高。SRAM的工作原理是改變通過開關(guān)的電流方向，而DRAM的工作原理是保持電荷。

本文關(guān)鍵詞：SRAM,DRAM

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