當(dāng)前的NAND內(nèi)存進入200層以上競爭，NAND內(nèi)存廠商計劃在2022年底到2023年期間推出200層以上的芯片產(chǎn)品，這是行業(yè)向更高密度的3D NAND內(nèi)存過渡的里程碑。
  
三星計劃在中國西安工廠擴大128層3D NAND芯片的產(chǎn)量。目前該工廠正在建設(shè)第二期工廠，每月可生產(chǎn)13萬至14萬片晶圓，第一期工廠的月均生產(chǎn)量為12萬個。該消息人士認為，三星西安工廠將是決定其定價策略的關(guān)鍵，因為該工廠產(chǎn)量的大幅增加將有助于大幅降低供應(yīng)商的整體生產(chǎn)成本。三星在晶圓廠的產(chǎn)量增加一倍以上的能力，也將為其未來的市場領(lǐng)導(dǎo)地位奠定基礎(chǔ)。
 
三星電子和美光科技可能是首批開始批量生產(chǎn)200層以上3D NAND內(nèi)存芯片的廠商。三星在韓國平澤的新工廠于2021年下半年開始生產(chǎn)，并將在今年提高176層3D NAND芯片的產(chǎn)量，過渡到176層3D NAND內(nèi)存制造，預(yù)計將使三星新工廠的總產(chǎn)量在2022年提高到每月5萬個晶圓。
 
與此同時，鎧俠可能成為日本政府68億美元半導(dǎo)體投資計劃的受益者之一。政府的補貼可能會幫助鎧俠在巖手縣的北上進行擴建項目，在那里將建立一個新的K2工廠。鎧俠在該地有一家3D NAND內(nèi)存工廠K1。
 
鎧俠尚未披露其向200層以上3DNAND工藝生產(chǎn)過渡的計劃，但已宣布其與西部數(shù)據(jù)聯(lián)合開發(fā)的162層3D NAND。市場觀察人士預(yù)計，鎧俠將在2022年至2023年期間將162層3D NAND作為其主流制造工藝。
 
英特爾在其3D NAND內(nèi)存制造中采用了雙棧的方法，該公司到2023年將推進到196層。
 
而美光早在2022年1月就宣布已開始批量出貨其宣稱業(yè)界首款176層QLC NAND SSD硬盤。它將努力在整個行業(yè)的利潤池中獲得更大的份額，而非增長其在行業(yè)產(chǎn)量中的份額。
 
中國方面，盡管進入NAND內(nèi)存市場較晚，但長江存儲在提高128層3D NAND內(nèi)存的生產(chǎn)收益率方面取得了進展。據(jù)悉，長江存儲已將64層3D NAND內(nèi)存制造的收益率提高到成熟水平。長江存儲有望在2022年上半年實現(xiàn)月產(chǎn)量增至10萬片的目標(biāo)。這家芯片制造商正努力進入中國一線品牌供應(yīng)鏈，并將其目標(biāo)市場擴大到包括手機和個人電腦應(yīng)用。
 
預(yù)測2020-2025年全球NAND內(nèi)存市場將以30%的復(fù)合年增長率增長，而數(shù)據(jù)中心市場在未來五年內(nèi)將以39%的復(fù)合年增長率增長。

關(guān)鍵詞： NAND內(nèi)存

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