MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
 
STT-MRAM是一種高級類型的MRAM存儲器。與常規(guī)設(shè)備相比，STT-MRAM可實現(xiàn)更高的密度、低功耗和更低的成本。STT-MRAM相對于Toggle MRAM的主要優(yōu)勢是能夠擴展STT-MRAM芯片以更低的成本實現(xiàn)更高的密度。STT-MRAM具有成為領(lǐng)先存儲技術(shù)的潛力，因為它是一種高性能存儲器（可以挑戰(zhàn)DRAM和SRAM），可以遠低于10nm并挑戰(zhàn)閃存的低成本。
 
STT-MRAM在速度、面積、寫入次數(shù)和功耗方面能夠達到較好的折中，因此被業(yè)界認(rèn)為是構(gòu)建下一代非易失性緩存和主存的理想器件。STT-MRAM的應(yīng)用前景并不局限于傳統(tǒng)的計算機存儲體系，還能夠擴展到其他諸多領(lǐng)域，甚至有望成為通用存儲器。
 
例如，寶馬公司在發(fā)動機控制模塊采用MRAM以保證數(shù)據(jù)在斷電情況下不丟失。鑒于磁性存儲具有抗輻射的優(yōu)勢，空客公司在A350的飛行控制系統(tǒng)中采用MRA以防止射線造成數(shù)據(jù)破壞。此外，在物聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新興應(yīng)用領(lǐng)域，泛在的傳感器終端需要搜集海量數(shù)據(jù)，為節(jié)省存儲功耗，使用非易失性存儲器勢在必行，STT-MRAM以其相對優(yōu)良的性能成為熱門的候選器件。


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