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ISSI高速異步SRAM存儲芯片IS63LV1024L-10JLI-TR
來源： 日期：2021-09-14 13:56:42
IS63LV1024L-10JLI-TR是一款高速低功耗131,072字的8位CMOS靜態(tài)SRAM引腳排列。IS63LV1024L-10JLI-TR采用ISST的高性能CMOS技術(shù)和創(chuàng)新的電路設(shè)計工藝制造而成，高度可靠，產(chǎn)生更高性能和低功耗的設(shè)備。當(dāng)CE為HIGH（取消選擇）時，器件采用待機模式，在這種模式下，功耗可降低至250uw（典型值），具有CMOS輸入電平。IS63LV1024L-10JLI-TR采用單個3.3v電源供電，所有輸入均與TTL兼容。該產(chǎn)品工作溫度為-40~85℃，供電電壓3.15V ~ 3.45V，訪問時間10ns。ISSI代理商支持提供樣品測試及產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)。
特征
·高速訪問時間：8、10、12ns
·高性能、低功耗CMOS工藝
·多個中心電源和接地引腳，具有更強的抗噪能力
·通過CE和OE選項輕松擴展內(nèi)存CE掉電
·完全靜態(tài)操作：無需時鐘或刷新
·TTL兼容輸入和輸出。單3.3V電源
·采用封裝：32-SOJ
封裝引腳
特征
·高速訪問時間：8、10、12ns
·高性能、低功耗CMOS工藝
·多個中心電源和接地引腳，具有更強的抗噪能力
·通過CE和OE選項輕松擴展內(nèi)存CE掉電
·完全靜態(tài)操作：無需時鐘或刷新
·TTL兼容輸入和輸出。單3.3V電源
·采用封裝：32-SOJ
封裝引腳
關(guān)于ISSI
ISSI是為下列主要市場設(shè)計開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)袖：汽車、通信、數(shù)字消費、工業(yè)/醫(yī)療。高速、低功耗SRAM和中低密度DRAM是該公司的主打產(chǎn)品。該公司還設(shè)計銷售 NOR 閃存產(chǎn)品、高性能模擬和混合信號集成電路。該公司面向高增長市場提供低成本、高質(zhì)量的半導(dǎo)體產(chǎn)品，并尋求與客戶建立長期合作關(guān)系。長期以來，該公司一直是存儲器產(chǎn)品（包含較低密度和較小批量產(chǎn)品）的可靠供應(yīng)商，即使在產(chǎn)能緊張的時期亦是如此。
關(guān)鍵詞： SRAM,IS63LV1024L-10JLI-TR,異步SRAM
ISSI是為下列主要市場設(shè)計開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)袖：汽車、通信、數(shù)字消費、工業(yè)/醫(yī)療。高速、低功耗SRAM和中低密度DRAM是該公司的主打產(chǎn)品。該公司還設(shè)計銷售 NOR 閃存產(chǎn)品、高性能模擬和混合信號集成電路。該公司面向高增長市場提供低成本、高質(zhì)量的半導(dǎo)體產(chǎn)品，并尋求與客戶建立長期合作關(guān)系。長期以來，該公司一直是存儲器產(chǎn)品（包含較低密度和較小批量產(chǎn)品）的可靠供應(yīng)商，即使在產(chǎn)能緊張的時期亦是如此。
關(guān)鍵詞： SRAM,IS63LV1024L-10JLI-TR,異步SRAM
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