MR25H10CDF是磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)。MR25H10CDF提供串行EEPROM和串行閃存兼容讀/寫(xiě)時(shí)序，無(wú)寫(xiě)延遲和無(wú)限讀/寫(xiě)耐久性。MR25H10CDF非易失性存儲(chǔ)器與其他串行存儲(chǔ)器不同，讀取和寫(xiě)入都可以在存儲(chǔ)器中隨機(jī)發(fā)生，寫(xiě)入之間沒(méi)有延遲。對(duì)于必須使用少量I/O引腳快速存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序，MR25H10CDF是理想的存儲(chǔ)器解決方案。
 
兩者都與串行EEPROM、閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。MR25H10CDF在很寬的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。該產(chǎn)品提供工業(yè)（-40°至+85℃）和AEC-Q1001級(jí)（-40℃至+125℃）工作溫度范圍選項(xiàng)。MR25H10CDF采用 8引腳DFN Small Flag 5mmx6mm封裝。
 
MR25H10CDF特性
•無(wú)寫(xiě)入延遲
•無(wú)限寫(xiě)入耐久性
•數(shù)據(jù)保留超過(guò)20年
•斷電時(shí)自動(dòng)數(shù)據(jù)保護(hù)
•塊寫(xiě)保護(hù)
•快速、簡(jiǎn)單的SPI接口，時(shí)鐘速率高達(dá)40MHz
•2.7至3.6伏電源范圍
•低電流睡眠模式
•工業(yè)溫度
•提供8引腳DFN或8引腳DFNSmallFlagRoHS兼容封裝
•直接替代串行EEPROM、閃存、FeRAM
•AEC-Q1001級(jí)選項(xiàng)
 
MR25H10CDF是一個(gè)串行MRAM存儲(chǔ)芯片，內(nèi)存陣列邏輯組織為128Kx8，使用串行外圍接口(SPI)的片選(CS)、串行輸入(SI)、串行輸出(SO)和串行時(shí)鐘(SCK)四個(gè)引腳接口。串行MRAM實(shí)現(xiàn)了當(dāng)今SPIEEPROM和閃存組件通用的命令子集，允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線(xiàn)上進(jìn)行互操作。與可用的串行存儲(chǔ)器替代品相比，串行MRAM提供卓越的寫(xiě)入速度、無(wú)限的耐用性、低待機(jī)和操作功率以及更可靠的數(shù)據(jù)保留。
 
Everspin型號(hào)MR25H10CDF是必須使用最少數(shù)量的引腳快速存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用的理想存儲(chǔ)器。具有40MHz讀/寫(xiě)速度，無(wú)限耐用。數(shù)據(jù)非易失性能夠保留20年。斷電時(shí)保留的數(shù)據(jù)。提供AEC-Q1001級(jí)合格選項(xiàng)。符合RoHS的封裝。代理宇芯電子支持提供產(chǎn)品技術(shù)及產(chǎn)品應(yīng)用解決方案。

MR25H10型號(hào)表

型號(hào)	容量	位寬	電壓(V)	溫度	封裝	MOQ /托盤(pán)	MOQ /卷帶
MR25H10CDC	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN	570	4,000
MR25H10MDC	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN	570	4,000
MR25H10CDF	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H10MDF	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	570	4,000

關(guān)鍵詞：MR25H10CDF