Nand Flash是一種非易失性存儲芯片，具有存儲容量大和寫入/擦除速度快等特點，被廣泛應(yīng)用于電子資料存儲和通訊設(shè)備、消費電子及汽車電子等領(lǐng)域。國外廠商三星電子、海力士等憑借先發(fā)優(yōu)勢以及在終端市場建立的品牌優(yōu)勢，在Nand Flash市場建立了自身優(yōu)勢。
 
Nand Flash需求端方面，隨著信息技術(shù)的創(chuàng)新革命，以移動互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計算和物聯(lián)網(wǎng)為代表的新一代信息技術(shù)發(fā)展正在推動信息產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級，對海量數(shù)據(jù)的處理、存儲提出了越來越高的要求。Nand Flash具有更大的存儲容量和更高的擦寫速度，是實現(xiàn)海量存儲的核心，已經(jīng)成為大容量存儲的主要選擇。當(dāng)前階段，Nand Flash市場的發(fā)展主要受到智能手機和平板電腦需求的驅(qū)動。相對于機械硬盤等傳統(tǒng)存儲介質(zhì)，采用Nand Flash芯片的SD卡、固態(tài)硬盤等存儲裝置沒有機械結(jié)構(gòu)，無噪音、壽命長、功耗低、可靠性高、體積小、讀寫速度快、工作溫度范圍廣，是未來大容量存儲的發(fā)展方向。隨著大數(shù)據(jù)時代的到來，Nand Flash芯片將在未來得到巨大發(fā)展。
 
Nand Flash供給端方面，三星電子、東芝、海力士、美光科技四家企業(yè)，均為IDM供應(yīng)商，占有了全球市場絕大部分的Nand Flash 芯片市場，但其投入集中在大容量的3D NAND產(chǎn)品方向。與3D NAND不同的是，在中小容量SLC NAND領(lǐng)域，國內(nèi)外主流工藝節(jié)點差距較小，國際大廠工藝先進的優(yōu)勢無法得到充分發(fā)揮，有利于國內(nèi)Fabless廠商的切入。國內(nèi)Fabless廠商通過產(chǎn)品差異化布局在局部應(yīng)用取得領(lǐng)先，實現(xiàn)進口替代。


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