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低電壓SRAM的重要性
來源：宇芯有限公司 日期：2020-06-02 10:14:05
隨著SOC 技術(shù)的發(fā)展，CMOS 工藝尺寸不斷縮小，芯片集成度越來越高，使得單位面積芯片的功耗不斷提高。近年來，便攜式電子產(chǎn)品如智能手機(jī)、平板電腦、數(shù)碼相機(jī)、智能手環(huán)發(fā)展迅猛，而對(duì)于使用電池的便攜式電子產(chǎn)品，芯片的功耗會(huì)直接影響到電池的使用時(shí)間、使用壽命，功耗逐漸成為大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)中最關(guān)心的問題。Vilsion代理商宇芯電子介紹低電壓SRAM的重要性。
CMOS 集成電路中的功耗由動(dòng)態(tài)功耗、靜態(tài)功耗和短路功耗組成。各個(gè)功耗表達(dá)式如公式所示：
其中，Pdynamic是電路電容充放電產(chǎn)生的動(dòng)態(tài)功耗，與電源電壓成平方關(guān)系；Pleak是靜態(tài)功耗，即漏電流產(chǎn)生的功耗，與電源電壓成一次方關(guān)系；Pshort是電路的短路功耗，產(chǎn)生于NMOS、PMOS 同時(shí)導(dǎo)通的瞬間，同樣與電源電壓成一次方關(guān)系。由此可見降低電源電壓能夠直接有效地降低電路的功耗。
SRAM的功耗包括動(dòng)態(tài)功耗和靜態(tài)功耗，動(dòng)態(tài)功耗和靜態(tài)功耗所占總功耗的比例不是一成不變的，其比例隨集成電路工藝的發(fā)展而變化。工藝每前進(jìn)一個(gè)節(jié)點(diǎn)，MOSFET 漏電流大約增加5 倍。器件特征尺寸的減少，使得靜態(tài)功耗在電路總功耗中所占比例越來越大，同時(shí)也必然引起靜態(tài)泄漏電流的增加。據(jù)統(tǒng)計(jì)，在90nm 工藝下，IC 漏電流功耗大約占整個(gè)功耗的1/3，在65nm 工藝下，IC 漏電流功耗已經(jīng)占總功耗的一半以上。由于動(dòng)態(tài)功耗與電源電壓是平方的關(guān)系，靜態(tài)功耗與電源電壓是一次方關(guān)系，降低電源電壓能夠使得動(dòng)態(tài)功耗和靜態(tài)功耗都得到大幅降低。
VTI低功耗SRAM 4Mbit
關(guān)鍵詞：SRAM 低電壓SRAM
宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國(guó)內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS等多個(gè)品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲(chǔ)器芯片，致力于為客戶提供具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲(chǔ)方案解決商。
CMOS 集成電路中的功耗由動(dòng)態(tài)功耗、靜態(tài)功耗和短路功耗組成。各個(gè)功耗表達(dá)式如公式所示：
其中，Pdynamic是電路電容充放電產(chǎn)生的動(dòng)態(tài)功耗，與電源電壓成平方關(guān)系；Pleak是靜態(tài)功耗，即漏電流產(chǎn)生的功耗，與電源電壓成一次方關(guān)系；Pshort是電路的短路功耗，產(chǎn)生于NMOS、PMOS 同時(shí)導(dǎo)通的瞬間，同樣與電源電壓成一次方關(guān)系。由此可見降低電源電壓能夠直接有效地降低電路的功耗。
SRAM的功耗包括動(dòng)態(tài)功耗和靜態(tài)功耗，動(dòng)態(tài)功耗和靜態(tài)功耗所占總功耗的比例不是一成不變的，其比例隨集成電路工藝的發(fā)展而變化。工藝每前進(jìn)一個(gè)節(jié)點(diǎn)，MOSFET 漏電流大約增加5 倍。器件特征尺寸的減少，使得靜態(tài)功耗在電路總功耗中所占比例越來越大，同時(shí)也必然引起靜態(tài)泄漏電流的增加。據(jù)統(tǒng)計(jì)，在90nm 工藝下，IC 漏電流功耗大約占整個(gè)功耗的1/3，在65nm 工藝下，IC 漏電流功耗已經(jīng)占總功耗的一半以上。由于動(dòng)態(tài)功耗與電源電壓是平方的關(guān)系，靜態(tài)功耗與電源電壓是一次方關(guān)系，降低電源電壓能夠使得動(dòng)態(tài)功耗和靜態(tài)功耗都得到大幅降低。
VTI低功耗SRAM 4Mbit
| 型號(hào) | 位寬 | 容量 | 溫度 | 電壓 | C/S Option | 封裝 |
| VTI504NL16 | 256K x 16 | 4Mbit | Industrial | 3.3 | 1C/S | 48BGA |
| VTI504NL16 | 256K x 16 | 4Mbit | Industrial | 3.3 | 1C/S | 44TSOP2 |
| VTI504HB16 | 256K x 16 | 4Mbit | Industrial | 5.0 | 2C/S | 44TSOP2 |
| VTI504HL08 | 512K x 8 | 4Mbit | Industrial | 5.0 | 1C/S | 32SOP |
| VTI504HL08 | 512K x 8 | 4Mbit | Industrial | 5.0 | 1C/S | 32TSOP2 |
| VTI504HL08 | 512K x 8 | 4Mbit | Industrial | 5.0 | 1C/S | 32TSOP1 |
| VTI504HL08 | 512K x 8 | 4Mbit | Industrial | 5.0 | 1C/S | 32sTSOP1 |
| VTI504NL08 | 512K x 8 | 4Mbit | Industrial | 3.3 | 1C/S | 32TSOP1 |
| VTI504NL08 | 512K x 8 | 4Mbit | Industrial | 3.3 | 1C/S | 32sTSOP1 |
| VTI504HL16 | 256K x 16 | 4Mbit | Industrial | 5.0 | 1C/S | 44TSOP2 |
| VTI504NL08 | 512K x 8 | 4Mbit | Industrial | 3.3 | 1C/S | 32SOP |
| VTI504NL08 | 512K x 8 | 4Mbit | Industrial | 3.3 | 1C/S | 32TSOP2 |
| VTI504NB16 | 256K x 16 | 4Mbit | Industrial | 3.3 | 2C/S | 48BGA |
| VTI504NB16 | 256K x 16 | 4Mbit | Industrial | 3.3 | 2C/S | 44TSOP2 |
關(guān)鍵詞：SRAM 低電壓SRAM
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