近年來，對精密半導(dǎo)體存儲器的需求已從個(gè)人計(jì)算機(jī)市場擴(kuò)展到了汽車，通信和數(shù)字消費(fèi)，工業(yè)及醫(yī)療市場。這些產(chǎn)品需要增加內(nèi)存容量，以幫助處理大量數(shù)據(jù)。ISSI為汽車，通信，數(shù)字消費(fèi)者以及工業(yè)和醫(yī)療提供了高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。
 
IS61/64WVxxxxxEDBLL系列是具有糾錯(cuò)(ECC)功能的異步靜態(tài)隨機(jī)存儲器(Async SRAM),該器件內(nèi)置獨(dú)立的ECC單元，極大程度提升了數(shù)據(jù)的完整性;同時(shí)得益于先進(jìn)的設(shè)計(jì)理念及65nm的制程工藝,期耗、讀寫速度均處于業(yè)界領(lǐng)先水平。

 
產(chǎn)品主要特性:
●每-字節(jié)都帶有獨(dú)立的糾錯(cuò)單元; .
●糾錯(cuò)單元可以偵測到數(shù)據(jù)錯(cuò)誤，組為悔一字節(jié)糾正- 比特的錯(cuò)誤,大幅度降低SER,提升可靠性;
●可直接替代現(xiàn)有的無ECC功能的標(biāo)準(zhǔn)SRAM器件，客戶不必更改原有的電路板設(shè)計(jì)即可使用以提高系統(tǒng)可靠性。
●最快存取時(shí)間可達(dá)到8ns
●溫度范圍可達(dá)-40°C到+125C

?帶有ECC糾錯(cuò)功能的異步SRAM可以在芯片內(nèi)部偵測并糾正數(shù)據(jù)錯(cuò)誤，最大限度地提高了數(shù)據(jù)的可靠性。相較于傳統(tǒng)ECC電路設(shè)計(jì)方法,該器件所有校驗(yàn)及糾錯(cuò)動(dòng)作在片內(nèi)完成，無需另外的錯(cuò)誤校正芯片,從而簡化.了硬件線路及軟件算法設(shè)計(jì)，同時(shí)節(jié)省電路板空間。該器件可滿足不同應(yīng)用對數(shù)據(jù)完整性的嚴(yán)苛要求，廣泛適用于汽車，醫(yī)療,工控及通訊領(lǐng)域。
 
 
ISSI代理商高速異步SRAM 

型號	容量	位寬	電壓	速度	封裝
IS64WV51216EDBLL	8Mb	512Kx16	2.4-3.6V	10	TSOP2(44),BGA(48)
IS61WV10248EDBLL	8Mb	1Mx8	2.4-3.6V	8,10,20	TSOP2(44),BGA(48)
IS61WV51216ALL/BLL	8Mb	512Kx16	1.65-3.6V	8,10,20	TSOP2(44),BGA(48)
IS61WV51216EDALL/BLL	8Mb	512Kx16	1.65-3.6V	8,10,20	TSOP2(44),BGA(48)
IS61WV25632ALL/BLL	8Mb	256Kx32	1.65-3.6V	8,10,20	BGA(90)
IS61WV10248ALL/BLL	8Mb	1Mx8	1.65-3.6V	8,10,20	TSOP2(44),BGA(48)

 
 

關(guān)鍵詞：SRAM   異步SRAM