MRAM是一種非易失性的磁阻式隨機存取存儲器，是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的技術(shù)，屬于當(dāng)前新型存儲器技術(shù)之一。
 
    從特性上看，MRAM具備讀寫次數(shù)無限、寫入速度快（寫入時間可低至2.3n）、功耗低、和邏輯芯片整合度高等特點，產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲領(lǐng)域。
 
    從主流的MRAM技術(shù)來看，MRAM技術(shù)包括嵌入式磁阻RAM（MRAM）、自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）、SOT-MRAM（自旋軌道扭矩磁性隨機存儲器）。目前MRAM主要以美國半導(dǎo)體大廠EverspinTechnologies推出的STT-MRAM（垂直混合自旋扭矩轉(zhuǎn)換磁性隨機存儲器）為代表。據(jù)悉，Everspin公司已量產(chǎn)MRAM產(chǎn)品。
 
    其中，STT-MRAM使用隧道層的“巨磁阻效應(yīng)”來讀取位單元，當(dāng)該層兩側(cè)的磁性方向一致時為低電阻，當(dāng)磁性方向相反時，電阻會變得很高。與其他新興存儲技術(shù)相比，STT-MRAM耐用性較為出色，并且存儲速度極快，還被認(rèn)為是最高級的緩存存儲器。
 
    SOT-MRAM（自旋軌道扭矩磁性隨機存儲器），采用三端式MTJ結(jié)構(gòu)，將讀取和寫入路徑分開，通過分離讀寫路徑，提供更高的耐用性。


本文關(guān)鍵詞：MRAM

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