ReRAM代表電阻式隨機存取存儲器，是一種非易失性存儲器，具有如低功耗和快速寫入的特長。該存儲器在所有存儲器產品中的讀取電流都最小，特別適合于助聽器等可穿戴設備。
 
    ReRAM具有放置在電極之間的金屬氧化物的簡單結構，并且其制造工藝非常簡單。它通過施加脈沖電壓對金屬氧化物薄膜產生的電阻的巨大變化來記錄“ 1或0”數(shù)據(jù)。
 
    與傳統(tǒng)的EEPROM相比，盡管具有相同的芯片尺寸，但富士通半導體的ReRAM具有兩倍以上的內存容量。芯片的尺寸是有限的，以便適合小體積的助聽器，而EEPROM是常用的。
 
    此外，由于富士通半導體的ReRAM與EEPROM規(guī)范兼容，因此只需用ReRAM替換EEPROM即可使用，從而最大限度地減少客戶在更換ReRAM時的設計工作。富士通ReRAM具有業(yè)界最小的讀取電流。最適合于助聽器等電池供電的小型可穿戴設備。

本文關鍵詞：ReRAM,富士通

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